等離子體改性及刻蝕機理是怎樣的？

　　等離子體改性及刻蝕結(jié)合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點，可在寬密度工藝范圍（109-1013cm-3)實現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體輔助CVD，具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應用范圍，是目前功能強大的等離子體CVD系統(tǒng)。

　　

　　原創(chuàng)性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統(tǒng)。頻率可調(diào)節(jié)，從低頻0.5-4MHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié)；電感天線是平板式，可根據(jù)客戶要求改變天線的形狀、大小，從而實現(xiàn)兩種不同的放電模式：電感放電和電容放電，兩種模式下都能實現(xiàn)穩(wěn)定放電，兩種模式的等離子體特性截然不同，可以實現(xiàn)不同的功能。
 

　　

　　等離子體改性及刻蝕機理的解釋適用于所有類型的等離子體技術(shù)，不局限于RIE。通常，等離子體刻蝕是化學刻蝕，不是物理刻蝕，這意味著固體原子與氣體原子反應形成化學分子，然后從基片表面移除形成刻蝕。因為VDC的存在，通常存在一定的基片濺射，對于大量的刻蝕，物理刻蝕效應很弱可以被忽略。

　　

　　幾個主要的刻蝕過程為：

　　

　　1、形成反應粒子；

　　

　　2、反應粒子到達Wafer表面并被吸附

　　

　　3、Wafer表面化學吸附反應，形成化學鍵，并形成反應產(chǎn)物；

　　

　　4、解吸附化學反應產(chǎn)物，并在Wafer表面移除，抽離腔室。

　　

　　等離子體改性及刻蝕速率，因為電子密度和能量與VDC相關(guān)聯(lián)，故以上的化學反應過程與速率相對應；離子轟擊可以造成Wafer表面的建設損傷；而離子轟擊的能量與VDC相關(guān),VDC越高轟擊越強；離子轟擊還會對刻蝕形貌有一定的影響等等對于非易揮發(fā)性副產(chǎn)物，通過一定的離子轟擊可以將副產(chǎn)物解離形成易揮發(fā)性產(chǎn)物，使本身在易在Wafer表面已形成的膜層消失。