硫化鎵晶體（百分之99.995） GaS

簡要描述：硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide）
晶體尺寸：~10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

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更新時間：2025-05-07
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硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)
晶體尺寸：~10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

Stoichiometric analysis of a single crystal alpha phase GaS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

Raman spectrum of a single crystal GaS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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