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      硫化鉍 Bi2S3 (Bismuth Sulfide)

      簡要描述:晶體尺寸:10毫米
      電學性能:半導體
      晶體結構:斜方晶系
      晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
      晶體類型:合成
      晶體純度:>99.995%
      表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

      • 產品型號:
      • 廠商性質:生產廠家
      • 更新時間:2025-05-07
      • 訪  問  量:2339

      詳細介紹

      晶體尺寸:10毫米
      電學性能:半導體
      晶體結構:斜方晶系
      晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
      晶體類型:合成
      晶體純度:>99.995%
      表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

      晶體尺寸:10毫米
      電學性能:半導體
      晶體結構:斜方晶系
      晶胞參數:a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
      晶體類型:合成
      晶體純度:>99.995%
      表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量

       

      XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

       

      EDX of a single crystal Bi2S3.

       

      Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

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